教 授 要 目 |
| 電気電子情報工学科 | 半導体デバイス(2) |
| Semiconductor Devices (2) | |
| 3 年 2 単位 選択科目 | |
| 担当教員 丸泉琢也 | |
| 【 科目概要・到達目標 】 現在の情報化社会を支える半導体集積回路（LSI）の設計基本技術と製造技術について講義します。サブミクロンMOSデバイス、MOS−LSI設計の基礎、Technology CAD(TCAD)技術、Design Automation(DA)技術、メモリの構成法、マイクロプロセッサの構成法などの設計基本技術と、LSI製造のウエハプロセス、製造設備と製造環境、品質管理と信頼性技術などの製造技術についての理解を目標とする。 |
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| 【 成績評価 】 授業中の課題演習・レポート（２０％）、中間試験（４０％）、期末試験（４０％）により評定する。但し、授業出席率が５０％以下の場合は不合格とする。 |
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| 【 履修心得 】 電子物性、半導体デバイス（１）の履修が望ましい。 |
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| 【 授業計画 】 １．集積回路（LSI）とは何か ２．微細MOSデバイスの動作特性（１） ３．微細MOSデバイスの動作特性（２） ４．VLSI製造のウエハプロセス（１） ５．VLSI製造のウエハプロセス（２） ６．抵抗、容量、インダクタンス、配線 ７．CMOS論理回路（１）：基本回路 ８．CMOS論理回路（２）：動作速度と消費電力 ９．論理VLSI（１）：基本演算回路、クロック １０．論理VLSI（２）：アーキテクチャ １１．論理VLSI（３）：パイプライン処理、並列化処理 １２．半導体メモリ １３．VLSIの設計法と構成法 １４．VLSIの試験 １５．まとめ |
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| 【 教科書 】 特になし。必要事項を纏めたプリントを配布する。 |
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| 【 参考書 】 谷口研二、宇野重康共著・半導体デバイス工学・昭晃堂 柳井久義、永田譲共著・集積回路工学（１）（２）・コロナ社 岩田穆著・VLSI工学（基礎・設計編）・コロナ社 角南英夫著・VLSI工学（製造プロセス編）・コロナ社 黒木幸令著・学びやすい集積回路工学・昭晃堂 |
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| 【e-mail address】 オンライン版では非公開です。 |
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| 【 学生へのメッセージ 】 個々の内容理解も重要であるが、半導体集積回路工学の全容を理解するよう努めてもらいたい。 |
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| 【 オフィスアワー 】 メールにて都合を事前確認するようにしてください。 |
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