教　授　要　目

電子通信工学科	半導体工学
Semiconductor engineering
3 年　　2 単位　　選択科目
担当教員　秋谷昌宏
【科目概要・到達目標】半導体並びに集積回路を理解する上で不可欠な科目である。キャリアの概念、エネルギー準位等の半導体物性を基礎にP-N接合、バイポーラTr、ＭＯＳTr等の基本素子の動作原理の修得を到達目標とする。
【成績評価】期末テスト（８０％）と平常点（２０％）で評価する。
【履修心得】電子物性、電子デバイスの履修をしている事が望ましい。
【授業計画】１．半導体と材料２．キャリアの運動３．エネルギー準位４．キャリア濃度５．P-N接合６．ダイオード７．金属ー半導体接触８．バイポーラTrの構造９．パイポーラTrの特性 10．サイリスタ 11．JFET 12．ＭＯＳTrの構造 13．ＭＯＳTrの特性 14．先端デバイス
【教科書】小林敏志、他著「基礎半導体工学」コロナ社
【参考書】
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【学生へのメッセージ】
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