教 授 要 目 |
| 電子通信工学科 | 集積回路 |
| Integrated Circuits | |
| 4 年 2 単位 選択科目 | |
| 担当教員 秋谷昌宏 | |
| 【 科目概要・到達目標 】 IC(集積回路)並びにLSI(大規模集積回路)、更にはULSI(超大規模集積回路)等のデバイス構造とデバイスを作成するための個別の製作プロセスについて製作工程の流れを追いながら総合的に理解する。 |
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| 【 成績評価 】 期末テスト（８０％）、と平常点（２０％）で評価する。 |
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| 【 履修心得 】 製作プロセスの講義においては化学反応ないしは化学現象を多く扱うので、化学系の授業科目を履修しておくと理解が速い。また半導体の基礎知識も必要とする。 |
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| 【 授業計画 】 １．半導体並びに集積回路の歴史 ２．Ｐ−Ｎ接合 ３．バイポーラＩＣの構造 ４．ＭＯＳＩＣの構造 ５．酸化及び酸化膜 ６．フォトリソ技術 ７．イオン注入と熱拡散及びアニーリング ８．オーミックコンタクト技術 ９．電極配線技術 10．エピタキシャル成長とＣＶＤ技術 11．エッチング技術 12．バイポーラＬＳＩの特性と製造工程 13．ＭＯＳＬＳＩの特性と製造工程 14．先端技術と将来動向 |
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| 【 教科書 】 柳井久義・永田譲共著「改訂集積回路工学（１）」コロナ社 |
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| 【 参考書 】 |
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| 【e-mail address】 オンライン版では非公開です。 |
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| 【 学生へのメッセージ 】 |
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| 【 オフィスアワー 】 随時 |
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