教 授 要 目 |
| 電子通信工学科 | 再・電子デバイス |
| Electronic Devices | |
| 3 年 2 単位 選択必修科目 | |
| 担当教員 平田孝道 | |
| 【 科目概要・到達目標 】 半導体デバイスを理解する上で重要であるダイオードやトランジスタ、並びに光通信に不可欠な光デバイスに関する基本特性を主体に学習する。また、近年注目されている新規材料、フラーレン及びカーボンナノチューブを利用したナノ電子デバイスについても学習する。 |
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| 【 成績評価 】 期末試験（９０％）、出席点（１０％）により評価する。 |
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| 【 履修心得 】 電子物性に関する基礎知識・学力が備わっていることが望ましい。 |
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| 【 授業計画 】 1.半導体と材料 2.P-N接合、金属−半導体接触 3.バイポーラトランジスタの構造及び基本特性 4.ＭＯＳトランジスタの構造及び基本特性 5.増幅回路の基本構成と周波数特性 6.受光素子 7.発光素子 8.マイクロ波発振素子 9.電子デバイスとナノテクノロジー 10.フラーレンの基本特質及びデバイスへの応用 11.カーボンナノチューブ基本特質及びデバイスへの応用 12.光電変換（太陽電池）素子 13.センサーデバイス（磁気、温度、音波、放射線、力学的歪み等） 14.バイオセンサ（ＤＮＡ検出、味覚、嗅覚） 15.全体のまとめ・理解度チェック |
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| 【 教科書 】 玉井輝雄著 図解による半導体デバイスの基礎 コロナ社 |
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| 【 参考書 】 補足資料の配布、数冊の専門書 |
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| 【e-mail address】 オンライン版では非公開です。 |
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| 【 学生へのメッセージ 】 興味を持ちながら学習する態度を望む。講義関連情報（質問）は、http://www.bme.musashi-tech.ac.jp/lab/03/にアクセス。 |
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| 【 オフィスアワー 】 随時 |
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