教 授 要 目 |
| 電気電子情報工学科 | 特別講義(2)(先端半導体プロセス) |
| Special Lecture | |
| 3〜4 年 2 単位 選択科目 | |
| 担当教員 山田啓作 | |
| 【 科目概要・到達目標 】 現在の情報化社会を支えるのは半導体技術であり、本講義においては、その最先端の半導体プロセスを解説する。その理解の助けとするため、物質移動論、反応速度論、化学反応・平衡論の基礎についても簡単にふれる。半導体製造プロセスの概略について理解する。 |
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| 【 成績評価 】 期末試験により評価する。また、講義の性格上、出席は重視する。 |
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| 【 履修心得 】 授業内容を覚えておく必要はない。授業を受けたことは覚えておいて欲しい。将来何か問題に遭遇したときに役にたつだろう。 |
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| 【 授業計画 】 1.概要 2.シリコンの酸化を理解するための化学平衡論基礎 3.シリコンの酸化挙動 4.MOSゲート絶縁膜形成の現状と将来 5.不純物ドーピング技術を理解するための拡散基礎 6.シリコン、SiO2中の不純物拡散 7.イオン注入技術および活性化技術 8.不純物ドーピング技術の将来 9.超純水製造技術と洗浄技術 10.ウェットエッチングプロセス 11.ドライエッチングプロセス 12.リソグラフィー技術の現状と将来 13.半導体製造プロセス全般（I） 14.半導体製造プロセス全般（II） |
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| 【 教科書 】 その都度コピーを用意する |
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| 【 参考書 】 なし |
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| 【e-mail address】 オンライン版では非公開です。 |
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| 【 学生へのメッセージ 】 半導体へ進む方以外も高度にシステム化された半導体プロセスを学ぶことは必ずや将来役に立つと思います。 |
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| 【 オフィスアワー 】 |
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