卒 業 研 究 |
| 電気電子情報工学科 | 量子・ナノデバイス研究室 |
| 【 指導教職員 】 | 丸泉琢也, 野平博司 |
| 【 研究概要 】 研究テーマは、デバイス作製（シリコン系へテロ構造デバイスの作製と評価）・計測評価（シリコン系材料の表面・界面構造評価：光電子分光法、原子力間顕微鏡、分光エクプソメトリなど）・シミュレーション（シリコン系材料・プロセス・デバイスシミュレーション）の3つに大きく分類できますが、相互に連携、連絡を密に取り、幅広い観点から量子・ナノデバイスの研究に取り組んでいます。具体的なテーマは、以下の通りです。 |
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| 【 卒業研究課題 】 １）シリコン系へテロ構造デバイスの作製と評価（総合研究所） a) シリコン系量子構造の形成と物性評価に関する研究 b) シリコン系量子構造の高速デバイスへの応用に関する研究 c) 集積化回路における光配線に関する研究 d) 光・電子融合量子デバイスの研究 ２）シリコン系材料・プロセス・デバイスシミュレーション a) 第一原理解析を主体とした高誘電率新材料の先行評価や先端的XPS解析のスペクトル同定支援 b) ヘテロ構造デバイスの根幹構造を作るSiGe擬似基板における転位発生と進展機構の解明を目指す転位動力学・結晶塑性解析 c) デバイスナノスケール化に伴い発生する応力分布の有限要素法解析 d) ヘテロ構造量子デバイスに特有なパラレル伝導現象などのモンテカルロ解析 ３）シリコン系材料の表面・界面構造評価 a) Al2O3膜、HfO2膜の構造評価 b) SiO2/Si界面構造と酸化膜厚の均一性の酸化プロセス依存性 c) 希土類酸化物等の構造評価） d) SiGe上に形成した歪みSiの酸化過程に関する研究 |
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| 【 研究室の特色 】 デバイス作製・計測評価・シミュレーションの3つを相互に連携、連絡を密に取り、幅広い観点から量子・ナノデバイスの研究に取り組んでいます。また、研究内容の多くは、総合研究所・シリコンナノ科学研究センターと共同で行っています。 |
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